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进一步地，所述坩埚3为钨坩埚、焊接钼坩埚或者烧结钼坩埚。优选的是钨坩埚，因为钨的熔点高于钼的熔点，不容易高温挥发出来与氧气发生反应；目前常用的是烧结钼坩埚，但焊接钼坩埚的性能优于烧结钼坩埚，同样厚度的焊接钼坩埚和烧结钼坩埚耐受的使用温度和使用时间长短是一样的，有的甚远远高于烧结坩埚的使用时间。这是因为烧结的密度再高，也比不上经过多次轧制的钼板所有的致密度，因此焊接钼坩埚中的钼更加不容易挥发，进而与氧气反应产生MoO2。

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通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm 左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。原理简介首先放大晶体直径到工艺要求的大小。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚。本系统还配置有工作站系统，用一台PC机可同时8台单晶炉，采用RS422高速通讯，光电隔离，可靠性高。(4) 电气硬件设置，本系统的电气柜内布局采用模块化集中管理，各个模块间连接简单，单个模块可以带电维修，电机保护采用空气关和丝结合的方法便于作和维护。同时主要的电气点都能简单的在端子板上查出。整个机箱布局合理，简单。同时带有双色声光报*灯进行提示。